Semi-conducteurs. Page 182 sur 485. Avtronic

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IRFR3910 à IRFU420 (Page 182 sur 485)

Transistor IRFR3910

2.69€ TTC

107 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 16A. Puissance: 79W. Rds: 0.115 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR4105

3.70€ TTC

26 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 27A. Puissance: 68W. Rds: 0.045 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR420

3.42€ TTC

54 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de Drain maxi: 2.4A. Puissance: 42W. Rds <3 Ohms. HEXFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR5305

3.53€ TTC

75 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 31A. Puissance: 110W. Résistance passante (Rds)<0.065 Ohms. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR5505

3.70€ TTC

91 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 18A. Puissance: 57W. Résistance passante (Rds)<0.11 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR9014

3.19€ TTC

35 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 5.1A. Référence d'origine constructeur: IRFR9014PBF. Boîtier: D-PAK. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 5.1A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.5 Ohms. HEXFET POWER MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR9024

2.41€ TTC

167 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.28 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR9024N

2.58€ TTC

213 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 11A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds)<0.175 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR9120N

3.19€ TTC

17 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 6.6A. Puissance: 40W. Résistance passante (Rds)<0.48 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR9220

3.25€ TTC

87 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 200V. Courant de drain maxi: 3.6A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<1.5 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor IRFRC20

3.81€ TTC

272 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 600V. Courant de Drain maxi: 2A. Puissance: 42W. Rds <4.4 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor IRFS630A

3.58€ TTC

396 En stock

Transistor IRFS630A N-MOS 200V 6.5A/36Ap.38W 0.4R(4.1A). Advanced Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.1 A. Rds (Ohms): 0.4.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFS630B

4.70€ TTC

154 En stock

Transistor IRFS630B N-MOS 200V 6.5A/26Ap.38W 0.34R(4.1A). Power MOSFET. Low gate charge (typical 22nC). Low Crss (typical. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFS634A

3.58€ TTC

76 En stock

Transistor IRFS634A N-MOS 250V 5.8A/32Ap. 35W 0.45R(3.7A). Advanced Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: SSU. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.7 A. Rds (Ohms): 0.45.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFS740

3.81€ TTC

463 En stock

Transistor IRFS740 N-MOS 400V 5.5A/40Ap 40W<0.55R(3.9). POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: SEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.5 A. Rds (Ohms): 0.55. Courant impulsion: 40 Ap. Puissance: 40 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU024N

2.18€ TTC

107 En stock

Transistor IRFU024N N-MOS 55V 17A/68Ap. 45W 0.75R (12A). HEXFET? Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. Fast Switching.. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU110

3.25€ TTC

112 En stock

Transistor IRFU110 N-MOS 100V 4.3A/17Ap. 25W 0.54R (2.7A). HEXFET? Power MOSFET. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.7 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU210

4.03€ TTC

76 En stock

Transistor MOSFET canal N 200V 2.6A/10Ap 1.5R 25W (1.7A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU230A

12.54€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFU230A N-MOS 200V 7.5A 2.5W*/50W 0.33R(4.8A). POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Puissance: 2.5 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU230B

13.05€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFU230B N-MOS 200V 7.5A 2.5W*/50W 0.34R(4.8A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Puissance: 2.5 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU420

3.08€ TTC

39 En stock

Transistor IRFU420 N-MOS 500V 2.4A 42W <3R(1.4A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.4 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 42 W

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Transistor IRFR3910

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 16A. Puissance: 79W. Rds: 0.115 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR4105

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 27A. Puissance: 68W. Rds: 0.045 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR420

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de Drain maxi: 2.4A. Puissance: 42W. Rds <3 Ohms. HEXFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR5305

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 31A. Puissance: 110W. Résistance passante (Rds)<0.065 Ohms. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR5505

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 18A. Puissance: 57W. Résistance passante (Rds)<0.11 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFR9014

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 5.1A. Référence d'origine constructeur: IRFR9014PBF. Boîtier: D-PAK. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 5.1A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.5 Ohms. HEXFET POWER MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

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Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.28 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFR9024N

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 11A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds)<0.175 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFR9120N

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 6.6A. Puissance: 40W. Résistance passante (Rds)<0.48 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFR9220

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 200V. Courant de drain maxi: 3.6A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<1.5 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFRC20

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 600V. Courant de Drain maxi: 2A. Puissance: 42W. Rds <4.4 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFS630A

Transistor IRFS630A N-MOS 200V 6.5A/36Ap.38W 0.4R(4.1A). Advanced Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.1 A. Rds (Ohms): 0.4.

Transistor IRFS630B

Transistor IRFS630B N-MOS 200V 6.5A/26Ap.38W 0.34R(4.1A). Power MOSFET. Low gate charge (typical 22nC). Low Crss (typical. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A.

Transistor IRFS634A

Transistor IRFS634A N-MOS 250V 5.8A/32Ap. 35W 0.45R(3.7A). Advanced Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: SSU. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.7 A. Rds (Ohms): 0.45.

Transistor IRFS740

Transistor IRFS740 N-MOS 400V 5.5A/40Ap 40W<0.55R(3.9). POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: SEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.5 A. Rds (Ohms): 0.55. Courant impulsion: 40 Ap. Puissance: 40 W

Transistor IRFU024N

Transistor IRFU024N N-MOS 55V 17A/68Ap. 45W 0.75R (12A). HEXFET? Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. Fast Switching.. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A.

Transistor IRFU110

Transistor IRFU110 N-MOS 100V 4.3A/17Ap. 25W 0.54R (2.7A). HEXFET? Power MOSFET. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.7 A.

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Transistor IRFU420

Transistor IRFU420 N-MOS 500V 2.4A 42W <3R(1.4A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.4 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 42 W

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